MMG3002NT1 vs MMG3001NT1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMG3002NT1 por NXP Semiconductors e MMG3001NT1 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd

Comparação de especificações

Parâmetro MMG3002NT1 MMG3001NT1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria RF Amplifiers RF Amplifiers
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $1,68
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Função General Purpose RF Amplifier (Class A) —
Frequency Range 40 MHz to 3600 MHz 40 MHz to 3.6 GHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output Power (P1dB) 21 dBm (typical) —
Tensão de alimentação 5.2 V (typical) —
Corrente de alimentação 110 mA (typical) 58 mA typical
Input / Output Impedance Internally matched to 50 ohm —
Encapsulamento / Caixa TO-243AA (SOT-89) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RF Type General Purpose General Purpose Amplifier
Operating Mode Class A, small-signal, high linearity —
Número de pinos 4 (3 + Tab) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Status RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MMG3001NT1
Output P1dB — 18.5 dBm
Noise Figure — 4.1 dB (typical)
Supply Voltage (Vcc) — 5 V typical, 5.6 V maximum
Topologia — Class A, internally biased
Input Matching — Internal, 50 ohm
Output Matching — Internal, 50 ohm
Encapsulamento — SOT-89 (TO-243AA)
Temperatura de operação — -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet]

Fichas técnicas e recursos

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