MMG3002NT1 vs MMG3001NT1 비교

다음의 상세 나란히 비교: MMG3002NT1 제조: NXP Semiconductors 및 MMG3001NT1 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd
NXP Semiconductors
MMG3001NT1 MMG3001NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, 18.5 dBm InGaP HBT RF Amp | NXP

MMG3001NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, 18.5 dBm InGaP HBT RF Amp | NXP

MMG3001NT1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MMG3002NT1 MMG3001NT1
브랜드 NXP Semiconductors NXP Semiconductors
카테고리 RF Amplifiers RF Amplifiers
수명 주기 상태 NRND 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.65 $1.68
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
기능 General Purpose RF Amplifier (Class A) —
Frequency Range 40 MHz to 3600 MHz 40 MHz to 3.6 GHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output Power (P1dB) 21 dBm (typical) —
공급 전압 5.2 V (typical) —
공급 전류 110 mA (typical) 58 mA typical
Input / Output Impedance Internally matched to 50 ohm —
패키지 / 케이스 TO-243AA (SOT-89) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RF Type General Purpose General Purpose Amplifier
Operating Mode Class A, small-signal, high linearity —
핀 수 4 (3 + Tab) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS 상태 Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MMG3001NT1
Output P1dB — 18.5 dBm
Noise Figure — 4.1 dB (typical)
Supply Voltage (Vcc) — 5 V typical, 5.6 V maximum
토폴로지 — Class A, internally biased
Input Matching — Internal, 50 ohm
Output Matching — Internal, 50 ohm
패키지 — SOT-89 (TO-243AA)
동작 온도 — -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet]

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