MPXV5100DP vs MPXV5010DP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPXV5100DP von NXP Semiconductors und MPXV5010DP von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MPXV5100DP MPXV5010DP
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,10 $8,10
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI) 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] [DATA_NEEDED: maximum overload]
Ausgangstyp Analog, Ratiometric Voltage Analog, Ratiometric
Ausgangsspannungsbereich 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Versorgungsspannung 4.75 V to 5.25 V (nominal 5 V) 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Sensitivity 45 mV/kPa (nominal) —
Pressure Accuracy +/- 5% (max, over compensated range) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Port Style Dual horizontal ports, same side Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Port Size 0.13 inch (3.3 mm) tube —
Gehäuse 8-BSOP (0.475 inch, 12.06 mm width), dual ports same side 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Sensor Technology Piezoresistive (silicon MEMS) with on-chip signal conditioning —
Accuracy — 5 % (over 0 C to 85 C)
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned

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