MPXV5100DP vs MPXV5010DP Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MPXV5100DP par NXP Semiconductors et MPXV5010DP par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MPXV5100DP MPXV5010DP
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,10 $8,10
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI) 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] [DATA_NEEDED: maximum overload]
Type de sortie Analog, Ratiometric Voltage Analog, Ratiometric
Plage de tension de sortie 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Tension d'alimentation 4.75 V to 5.25 V (nominal 5 V) 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Sensitivity 45 mV/kPa (nominal) —
Pressure Accuracy +/- 5% (max, over compensated range) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Port Style Dual horizontal ports, same side Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Port Size 0.13 inch (3.3 mm) tube —
Boîtier 8-BSOP (0.475 inch, 12.06 mm width), dual ports same side 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Sensor Technology Piezoresistive (silicon MEMS) with on-chip signal conditioning —
Accuracy — 5 % (over 0 C to 85 C)
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned

Fiches techniques et ressources

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