MPXV5100DP vs MPXV5010DP Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPXV5100DP por NXP Semiconductors y MPXV5010DP por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MPXV5100DP MPXV5010DP
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,10 $8,10
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI) 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] [DATA_NEEDED: maximum overload]
Tipo de salida Analog, Ratiometric Voltage Analog, Ratiometric
Rango de tensión de salida 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Tensión de alimentación 4.75 V to 5.25 V (nominal 5 V) 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Sensitivity 45 mV/kPa (nominal) —
Pressure Accuracy +/- 5% (max, over compensated range) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Port Style Dual horizontal ports, same side Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Port Size 0.13 inch (3.3 mm) tube —
Encapsulado 8-BSOP (0.475 inch, 12.06 mm width), dual ports same side 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Sensor Technology Piezoresistive (silicon MEMS) with on-chip signal conditioning —
Accuracy — 5 % (over 0 C to 85 C)
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned

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