MPXV5100DP vs MPXV5010DP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MPXV5100DP por NXP Semiconductors e MPXV5010DP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MPXV5100DP MPXV5010DP
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria Pressure Sensors Pressure Sensors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,10 $8,10
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI) 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] [DATA_NEEDED: maximum overload]
Tipo de saída Analog, Ratiometric Voltage Analog, Ratiometric
Faixa de tensão de saída 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Tensão de alimentação 4.75 V to 5.25 V (nominal 5 V) 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Sensitivity 45 mV/kPa (nominal) —
Pressure Accuracy +/- 5% (max, over compensated range) —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Port Style Dual horizontal ports, same side Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Port Size 0.13 inch (3.3 mm) tube —
Encapsulamento 8-BSOP (0.475 inch, 12.06 mm width), dual ports same side 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Sensor Technology Piezoresistive (silicon MEMS) with on-chip signal conditioning —
Accuracy — 5 % (over 0 C to 85 C)
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned

Fichas técnicas e recursos

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