MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT25QL02GCBB8E12-0AUT von Micron Technology und W25H02JVTBIM von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
Marke Micron Technology Winbond
Kategorie Flash Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,65 $2,38
Speichertyp NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
Speicherorganisation 256M x 8 —
Schnittstelle SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
Maximale Taktfrequenz 133 MHz —
Versorgungsspannung 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +85C
Gehäuse 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
Eigenschaften XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
RoHS-Status Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
Halogenfrei — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

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