MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT25QL02GCBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology 및 W25H02JVTBIM 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
브랜드 Micron Technology Winbond
카테고리 Flash Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.65 $2.38
메모리 유형 NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
메모리 구성 256M x 8 —
인터페이스 SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
최대 클록 주파수 133 MHz —
공급 전압 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +85C
패키지 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
특징 XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
할로겐 프리 — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

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