MT40A1G8WE-075E vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A1G8WE-075E von Micron Technology und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A1G8WE-075E | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $11,90 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| Datenrate | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | Programmable | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |