MT40A1G8WE-075E vs H5AN8G6NDJR 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G8WE-075E 제조: Micron Technology 및 H5AN8G6NDJR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A1G8WE-075E | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.90 | $35.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS 레이턴시 | Programmable | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| 특징 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |