MT40A1G8WE-075E vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8WE-075E par Micron Technology et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8WE-075E | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,90 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| Débit de données | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | Programmable | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |