MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A2G8AG-062E von Micron Technology und H5ANAG8NCMR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NCMR-VKC
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,75 $8,05
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 —
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS-Latenz CL22 (DDR4-3200) [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Gehäuse 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision AG (current generation) —
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Datenrate — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

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