MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT6AN8T0SA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology und NT6AN8T0SA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $2,88 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 64M x 32 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Datenrate | 2666 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +105°C (AIT grade) | -30°C to +85°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 2Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2V |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| Burst Length | — | 4 or 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| DLL | — | Yes |