MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT6AN8T0SA 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology および NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中
Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16JY-07EAIT:B NT6AN8T0SA
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.10 $2.88
メモリタイプ DDR4 SDRAM LPDDR2 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 64M x 32
Clock Frequency 1.33 GHz —
データレート 2666 MT/s 1066 Mbps (533 MHz)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (8x14) FBGA
動作温度範囲 -40°C to +105°C (AIT grade) -30°C to +85°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Density — 2Gb
電源電圧 — 1.2V
I/O Voltage — 1.2V
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Refresh Period — 64ms at 85°C
Burst Length — 4 or 8
On-Die Termination — Yes
DLL — Yes

データシート&リソース

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