MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT6AN8T0SA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology e NT6AN8T0SA por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo
Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-07EAIT:B NT6AN8T0SA
Marca Micron Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $2,88
Tipo de memória DDR4 SDRAM LPDDR2 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 64M x 32
Clock Frequency 1.33 GHz —
Taxa de dados 2666 MT/s 1066 Mbps (533 MHz)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-FBGA (8x14) FBGA
Faixa de temperatura de operação -40°C to +105°C (AIT grade) -30°C to +85°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Density — 2Gb
Tensão de alimentação — 1.2V
I/O Voltage — 1.2V
Tipo de montagem — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Refresh Period — 64ms at 85°C
Burst Length — 4 or 8
On-Die Termination — Yes
DLL — Yes

Fichas técnicas e recursos

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