MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT6AN8T0SA 비교
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Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $2.88 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 64M x 32 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14) | FBGA |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +105°C (AIT grade) | -30°C to +85°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 2Gb |
| 공급 전압 | — | 1.2V |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| Burst Length | — | 4 or 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| DLL | — | Yes |