MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology und AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Aktiv
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
Marke Micron Technology Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,80 $7,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Datenrate 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
CAS-Latenz 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Schnittstelle Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speicherorganisation — 512M x 16
Versorgungsspannung — 1.2 V
Betriebstemperatur — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS-Status — Compliant
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

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