MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075:E par Micron Technology et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
Marque Micron Technology Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,80 $7,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Débit de données 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latence CAS 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Interface Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Tension d'alimentation — 1.2 V
Température de fonctionnement — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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