MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN 对比

详细并排对比 MT40A512M16LY-075:E 出自 Micron Technology 和 AS4C512M16D4A-62BCN 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
品牌 Micron Technology Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.80 $7.20
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
数据速率 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
CAS 延迟 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
接口 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
封装 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作温度范围 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
存储组织 — 512M x 16
电源电压 — 1.2 V
工作温度 — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS 状态 — Compliant
Packaging — Tray

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