MT40A512M16LY-075:E vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology y AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-075:E AS4C512M16D4A-62BCN
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,80 $7,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Velocidad de datos 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latencia CAS 19 18 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Interfaz Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Organización de memoria — 512M x 16
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Estado RoHS — Compliant
Packaging — Tray

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