MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-107AAT:E von Micron Technology und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,95 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS-Latenz | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |