MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-PBI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-PBI
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,36 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS-Latenz 11 Programmable
Speicherorganisation — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
Datenrate — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96

Datenblätter & Ressourcen

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