MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-PBI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125 par Micron Technology et H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-PBI
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,36 $6,50
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Largeur du bus de données 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35 V
Boîtier 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Nombre de broches 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latence CAS 11 Programmable
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
Débit de données — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Plage de température de fonctionnement — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96

Fiches techniques et ressources

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