MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-PBI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology e H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-PBI
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,36 $6,50
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensão de alimentação 1.35 V 1.35 V
Encapsulamento 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Número de pinos 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latência CAS 11 Programmable
Organização da memória — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
Taxa de dados — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Faixa de temperatura de operação — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96

Fichas técnicas e recursos

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