MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology und K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,19 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Datenrate | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| CAS-Latenz | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Gehäuse | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |