MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16RE-125:D от Micron Technology и K4B4G1646E-BYMATCV от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ АктивенSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,19 | $5,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| Задержка CAS | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Корпус | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Количество выводов | — | 96 |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Compliant |