MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology e K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AtivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,19 | $5,90 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| Latência CAS | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Encapsulamento | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Status RoHS | — | Compliant |