MT41K256M16TG-125 vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TG-125 von Micron Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TG-125 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Datenrate | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Anzahl der Pins | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |