MT41K256M16TG-125 vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TG-125 от Micron Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16TG-125 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Скорость передачи данных | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Количество выводов | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |