MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16TW-107:P Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107 von Micron Technology und MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107 | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,10 | $16,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Datenrate | — | 1866 MT/s |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| CAS-Latenz | — | 13 |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |