MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16TW-107:P Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16TW-107 por Micron Technology e MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Ativo
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MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107:P
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $14,10 $16,00
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit 4Gbit (256M x 16)
Organização da memória 256M x 16 —
Interface Parallel —
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) 933 MHz
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35 V 1.35V
Largura do barramento de dados 16 bit —
Encapsulamento 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (8x14mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +95C (commercial :P grade) 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Taxa de dados — 1866 MT/s
I/O Voltage — 1.35V
Latência CAS — 13
tRCD — 20 ns
tRP — 20 ns
Burst Length — 8
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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