MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16TW-107:P Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TW-107 от Micron Technology и MT41K256M16TW-107:P от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Активен
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107:P
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $14,10 $16,00
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4 Gbit 4Gbit (256M x 16)
Организация памяти 256M x 16 —
Интерфейс Parallel —
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) 933 MHz
Access Time 20 ns —
Напряжение питания 1.35 V 1.35V
Разрядность шины данных 16 bit —
Корпус 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (8x14mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура 0C to +95C (commercial :P grade) 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Скорость передачи данных — 1866 MT/s
I/O Voltage — 1.35V
Задержка CAS — 13
tRCD — 20 ns
tRP — 20 ns
Burst Length — 8
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену