MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT53E1G64D4HJ-046 von Micron Technology und H58G56AK6QX032N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron
MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT53E1G64D4HJ-046 | H58G56AK6QX032N |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $435,25 | $13,40 |
| Speichertyp | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gbit | 32Gb (4GB) |
| Speicherorganisation | 1G x 64 | 512M x 64 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.1 V / 1.8 V | — |
| Gehäuse | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) | FBGA-315 |
| Package Style | TFBGA, 556/841 ball, QDP | — |
| Betriebstemperatur | -30C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| AEC-Q100 | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Datenrate | — | 6400 Mbps per pin |
| Bus Width | — | x16 (x64 variant per sourcing data) |
| Core Voltage (VDD) | — | 0.5 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Voltage (VDD2) | — | 1.8 V / 1.05 V |
| Grade | — | Automotive |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |
| Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| Reflow/MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |