MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT53E1G64D4HJ-046 por Micron Technology y H58G56AK6QX032N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron
MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT53E1G64D4HJ-046 | H58G56AK6QX032N |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $435,25 | $13,40 |
| Tipo de memoria | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gbit | 32Gb (4GB) |
| Organización de memoria | 1G x 64 | 512M x 64 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V / 1.8 V | — |
| Encapsulado | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) | FBGA-315 |
| Package Style | TFBGA, 556/841 ball, QDP | — |
| Temperatura de funcionamiento | -30C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| AEC-Q100 | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Velocidad de datos | — | 6400 Mbps per pin |
| Bus Width | — | x16 (x64 variant per sourcing data) |
| Core Voltage (VDD) | — | 0.5 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Voltage (VDD2) | — | 1.8 V / 1.05 V |
| Grade | — | Automotive |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |
| Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| Reflow/MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |