MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E1G64D4HJ-046 제조: Micron Technology 및 H58G56AK6QX032N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E1G64D4HJ-046 H58G56AK6QX032N
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $435.25 $13.40
메모리 유형 Mobile LPDDR4X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gbit 32Gb (4GB)
메모리 구성 1G x 64 512M x 64
인터페이스 Parallel —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Access Time 3.5 ns —
공급 전압 1.1 V / 1.8 V —
패키지 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) FBGA-315
Package Style TFBGA, 556/841 ball, QDP —
동작 온도 -30C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
AEC-Q100 Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
데이터 속도 — 6400 Mbps per pin
Bus Width — x16 (x64 variant per sourcing data)
Core Voltage (VDD) — 0.5 V
I/O Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Interface Voltage (VDD2) — 1.8 V / 1.05 V
Grade — Automotive
Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Standard — JEDEC LPDDR5
Reflow/MSL Rating — [DATA_NEEDED: MSL level]

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