MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E1G64D4HJ-046 par Micron Technology et H58G56AK6QX032N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron
MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E1G64D4HJ-046 | H58G56AK6QX032N |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $435,25 | $13,40 |
| Type de mémoire | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gbit | 32Gb (4GB) |
| Organisation de la mémoire | 1G x 64 | 512M x 64 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V / 1.8 V | — |
| Boîtier | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) | FBGA-315 |
| Package Style | TFBGA, 556/841 ball, QDP | — |
| Température de fonctionnement | -30C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| AEC-Q100 | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Débit de données | — | 6400 Mbps per pin |
| Bus Width | — | x16 (x64 variant per sourcing data) |
| Core Voltage (VDD) | — | 0.5 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Voltage (VDD2) | — | 1.8 V / 1.05 V |
| Grade | — | Automotive |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |
| Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| Reflow/MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |