MT53E2G64D8TN-046 vs H58G56AK6QX032N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT53E2G64D8TN-046 von Micron Technology und H58G56AK6QX032N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT53E2G64D8TN-046 H58G56AK6QX032N
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $13,40
Speichertyp Mobile LPDDR4X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Speichergröße 128 Gbit (16 GB) —
Speicherorganisation 2G x 64 512M x 64
Schnittstelle Parallel —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Access Time 3.5 ns —
Speed Grade -046 (4266 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V / 1.8 V (per variant) —
Gehäuse 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) FBGA-315
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (AAT:C) 0C to +95C —
Operating Temperature (AIT:C) -40C to +95C —
Operating Temperature (AUT:C) -40C to +105C —
Automotive Qualification (AUT variant) AEC-Q100 qualified —
Datenbusbreite 64 bit —
Write Cycle Time 18 ns —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 32Gb (4GB)
Datenrate — 6400 Mbps per pin
Bus Width — x16 (x64 variant per sourcing data)
Core Voltage (VDD) — 0.5 V
I/O Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Interface Voltage (VDD2) — 1.8 V / 1.05 V
Grade — Automotive
Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Standard — JEDEC LPDDR5
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reflow/MSL Rating — [DATA_NEEDED: MSL level]

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