MT53E2G64D8TN-046 vs H58G56AK6QX032N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT53E2G64D8TN-046 par Micron Technology et H58G56AK6QX032N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT53E2G64D8TN-046 H58G56AK6QX032N
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $13,40
Type de mémoire Mobile LPDDR4X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Taille de mémoire 128 Gbit (16 GB) —
Organisation de la mémoire 2G x 64 512M x 64
Interface Parallel —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Access Time 3.5 ns —
Speed Grade -046 (4266 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V / 1.8 V (per variant) —
Boîtier 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) FBGA-315
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (AAT:C) 0C to +95C —
Operating Temperature (AIT:C) -40C to +95C —
Operating Temperature (AUT:C) -40C to +105C —
Automotive Qualification (AUT variant) AEC-Q100 qualified —
Largeur du bus de données 64 bit —
Write Cycle Time 18 ns —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 32Gb (4GB)
Débit de données — 6400 Mbps per pin
Bus Width — x16 (x64 variant per sourcing data)
Core Voltage (VDD) — 0.5 V
I/O Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Interface Voltage (VDD2) — 1.8 V / 1.05 V
Grade — Automotive
Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Standard — JEDEC LPDDR5
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reflow/MSL Rating — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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