MT53E2G64D8TN-046 vs H58G56AK6QX032N 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53E2G64D8TN-046 제조: Micron Technology 및 H58G56AK6QX032N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron
MT53E2G64D8TN-046 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT53E2G64D8TN-046 | H58G56AK6QX032N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $13.40 |
| 메모리 유형 | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 128 Gbit (16 GB) | — |
| 메모리 구성 | 2G x 64 | 512M x 64 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Speed Grade | -046 (4266 Mbps/pin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V / 1.8 V (per variant) | — |
| 패키지 | 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) | FBGA-315 |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (AAT:C) | 0C to +95C | — |
| Operating Temperature (AIT:C) | -40C to +95C | — |
| Operating Temperature (AUT:C) | -40C to +105C | — |
| Automotive Qualification (AUT variant) | AEC-Q100 qualified | — |
| 데이터 버스 폭 | 64 bit | — |
| Write Cycle Time | 18 ns | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32Gb (4GB) |
| 데이터 속도 | — | 6400 Mbps per pin |
| Bus Width | — | x16 (x64 variant per sourcing data) |
| Core Voltage (VDD) | — | 0.5 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Voltage (VDD2) | — | 1.8 V / 1.05 V |
| Grade | — | Automotive |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |
| Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Reflow/MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |