MX30LF4GE8AB vs K9F4G08U0B-PCB0 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MX30LF4GE8AB von Macronix und K9F4G08U0B-PCB0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MX30LF4GE8AB K9F4G08U0B-PCB0
Marke Macronix Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,98 $3,40
Speichertyp NAND Flash (SLC) NAND Flash (SLC, asynchronous)
Density 4 Gbit (512 M x 8) 4 Gbit (512 MB)
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Schnittstelle Parallel (asynchronous) 8-bit multiplexed NAND I/O
Access Time 20 ns —
Page Size 2112 bytes (2048 + 64 spare) (2 K + 64) byte
Block Size 64 pages (128 KB + 4 KB spare) (128 K + 4 K) byte
Bus Width 8-bit (multiplexed I/O) —
Standard Compliance ONFI 1.0 —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Gehäuse 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP) TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free)
Betriebstemperatur -40C to +85C (industrial) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Lead-free (Pb-free), RoHS compliant
Status Polling R/B# open-drain output —
Speicherorganisation — (512M + 16M) x 8 bit
Data Register — (2K + 64) x 8 bit
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Operating Temperature (commercial) — 0C to +70C
Program/Erase — Automatic, on-chip page buffer
ECC Requirement — External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended)
Package Suffix Code — -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free)

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