MX30LF4GE8AB vs K9F4G08U0B-PCB0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MX30LF4GE8AB par Macronix et K9F4G08U0B-PCB0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MX30LF4GE8AB K9F4G08U0B-PCB0
Marque Macronix Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,98 $3,40
Type de mémoire NAND Flash (SLC) NAND Flash (SLC, asynchronous)
Density 4 Gbit (512 M x 8) 4 Gbit (512 MB)
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Interface Parallel (asynchronous) 8-bit multiplexed NAND I/O
Access Time 20 ns —
Page Size 2112 bytes (2048 + 64 spare) (2 K + 64) byte
Block Size 64 pages (128 KB + 4 KB spare) (128 K + 4 K) byte
Bus Width 8-bit (multiplexed I/O) —
Standard Compliance ONFI 1.0 —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Boîtier 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP) TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free)
Température de fonctionnement -40C to +85C (industrial) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Lead-free (Pb-free), RoHS compliant
Status Polling R/B# open-drain output —
Organisation de la mémoire — (512M + 16M) x 8 bit
Data Register — (2K + 64) x 8 bit
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Operating Temperature (commercial) — 0C to +70C
Program/Erase — Automatic, on-chip page buffer
ECC Requirement — External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended)
Package Suffix Code — -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free)

Fiches techniques et ressources

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