MX30LF4GE8AB vs K9F4G08U0B-PCB0 비교

다음의 상세 나란히 비교: MX30LF4GE8AB 제조: Macronix 및 K9F4G08U0B-PCB0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K9F4G08U0B-PCB0 K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 - 4Gbit NAND Flash, 3.3V TSOP-48 | Samsung

K9F4G08U0B-PCB0 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MX30LF4GE8AB K9F4G08U0B-PCB0
브랜드 Macronix Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.98 $3.40
메모리 유형 NAND Flash (SLC) NAND Flash (SLC, asynchronous)
Density 4 Gbit (512 M x 8) 4 Gbit (512 MB)
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
인터페이스 Parallel (asynchronous) 8-bit multiplexed NAND I/O
Access Time 20 ns —
Page Size 2112 bytes (2048 + 64 spare) (2 K + 64) byte
Block Size 64 pages (128 KB + 4 KB spare) (128 K + 4 K) byte
Bus Width 8-bit (multiplexed I/O) —
Standard Compliance ONFI 1.0 —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
패키지 48-pin TSOP Type-I (48-TSOP) TSOP1-48 (12 mm x 20 mm, lead-free)
동작 온도 -40C to +85C (industrial) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant Lead-free (Pb-free), RoHS compliant
Status Polling R/B# open-drain output —
메모리 구성 — (512M + 16M) x 8 bit
Data Register — (2K + 64) x 8 bit
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Operating Temperature (commercial) — 0C to +70C
Program/Erase — Automatic, on-chip page buffer
ECC Requirement — External (1-bit/512B minimum, 4-bit recommended)
Package Suffix Code — -PCB0 (TSOP1, 3.3 V, commercial, lead-free)

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