NRVBS260NT3G vs SRVBS260NT3G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NRVBS260NT3G von onsemi und SRVBS260NT3G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter NRVBS260NT3G SRVBS260NT3G
Marke onsemi onsemi
Kategorie Diodes Diodes
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,11
Manufacturer onsemi onsemi
Product Type Schottky Power Rectifier Schottky Power Rectifier (single diode)
Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM) 60 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 2 A —
Forward Voltage Drop (VF) at 2 A 630 mV —
Peak Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM value] —
Reverse Leakage Current (IR) at VRRM [DATA_NEEDED: IR value] —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C (est. industry-standard for SMB Schottky) —
Gehäuse SMB (DO-214AA) SMB (surface mount, C-bend leads)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Configuration Single diode —
Polarity Cathode band —
MSL-Level 1 (per third-party listing) —
RoHS-Status Compliant (ROHS3) Compliant
REACH Status Unaffected (per third-party listing) —
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Datenblätter & Ressourcen

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