NRVBS260NT3G vs SRVBS260NT3G Comparación

Comparación detallada lado a lado de NRVBS260NT3G por onsemi y SRVBS260NT3G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro NRVBS260NT3G SRVBS260NT3G
Marca onsemi onsemi
Categoría Diodes Diodes
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,13 $0,11
Manufacturer onsemi onsemi
Product Type Schottky Power Rectifier Schottky Power Rectifier (single diode)
Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM) 60 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 2 A —
Forward Voltage Drop (VF) at 2 A 630 mV —
Peak Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM value] —
Reverse Leakage Current (IR) at VRRM [DATA_NEEDED: IR value] —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C (est. industry-standard for SMB Schottky) —
Encapsulado SMB (DO-214AA) SMB (surface mount, C-bend leads)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Configuration Single diode —
Polarity Cathode band —
Nivel MSL 1 (per third-party listing) —
Estado RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
REACH Status Unaffected (per third-party listing) —
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

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