NRVBS260NT3G vs SRVBS260NT3G Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NRVBS260NT3G par onsemi et SRVBS260NT3G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NRVBS260NT3G | SRVBS260NT3G |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | onsemi |
| Catégorie | Diodes | Diodes |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,11 |
| Manufacturer | onsemi | onsemi |
| Product Type | Schottky Power Rectifier | Schottky Power Rectifier (single diode) |
| Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM) | 60 V | — |
| Average Rectified Forward Current (IF(AV)) | 2 A | — |
| Forward Voltage Drop (VF) at 2 A | 630 mV | — |
| Peak Forward Surge Current (IFSM) | [DATA_NEEDED: IFSM value] | — |
| Reverse Leakage Current (IR) at VRRM | [DATA_NEEDED: IR value] | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C (est. industry-standard for SMB Schottky) | — |
| Boîtier | SMB (DO-214AA) | SMB (surface mount, C-bend leads) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Construction | Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact | — |
| Configuration | Single diode | — |
| Polarity | Cathode band | — |
| Niveau MSL | 1 (per third-party listing) | — |
| Statut RoHS | Compliant (ROHS3) | Compliant |
| REACH Status | Unaffected (per third-party listing) | — |
| Reverse Test Voltage (VRRM) | — | 60 V |
| Maximum Average Forward Current (IF(AV)) | — | 2 A |
| Maximum Forward Voltage (VF) | — | 0.63 V at 2 A |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +125 C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| Terminal Form | — | C BEND |
| Terminal Position | — | DUAL |
| Number of Terminals | — | 2 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Finish | — | Matte Tin |
| Diode Technology | — | Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact) |