NRVBS260NT3G vs SRVBS260NT3G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NRVBS260NT3G por onsemi e SRVBS260NT3G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro NRVBS260NT3G SRVBS260NT3G
Marca onsemi onsemi
Categoria Diodes Diodes
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,11
Manufacturer onsemi onsemi
Product Type Schottky Power Rectifier Schottky Power Rectifier (single diode)
Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM) 60 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 2 A —
Forward Voltage Drop (VF) at 2 A 630 mV —
Peak Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM value] —
Reverse Leakage Current (IR) at VRRM [DATA_NEEDED: IR value] —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C (est. industry-standard for SMB Schottky) —
Encapsulamento SMB (DO-214AA) SMB (surface mount, C-bend leads)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Configuration Single diode —
Polarity Cathode band —
Nível MSL 1 (per third-party listing) —
Status RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
REACH Status Unaffected (per third-party listing) —
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Fichas técnicas e recursos

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