NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16C4-JRI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16A4-HR מאת Nanya Technology ו NT5AD512M16C4-JRI מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $75.58 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (PC4-25600) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | — |
| מארז | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |