NT5CC256M16DN-FLNA vs NT5CC256M16DP-FLNA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DN-FLNA von Nanya Technology und NT5CC256M16DP-FLNA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

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Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA
Marke Nanya Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,00 $20,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
Datenrate 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
CAS-Latenz 11 11, 12, 13
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Gehäuse 96-ball FBGA BGA-96 (13x9 mm)
Betriebstemperaturbereich Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
Schnittstelle 16-bit I/O SSTL-15
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto self-refresh, auto precharge
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 4 Gb
Versorgungsspannung — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks — 8
Betriebstemperatur — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Lead-Free — Yes
Eigenschaften — Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset

Datenblätter & Ressourcen

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