NT5CC256M16DN-FLNA vs NT5CC256M16DP-FLNA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DN-FLNA par Nanya Technology et NT5CC256M16DP-FLNA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ Actif
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Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,00 $20,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
Débit de données 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Latence CAS 11 11, 12, 13
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Boîtier 96-ball FBGA BGA-96 (13x9 mm)
Plage de température de fonctionnement Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
Interface 16-bit I/O SSTL-15
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto self-refresh, auto precharge
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 4 Gb
Tension d'alimentation — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks — 8
Température de fonctionnement — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Lead-Free — Yes
Caractéristiques — Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset

Fiches techniques et ressources

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