NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DN-FLNA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DP-FLNA von Nanya Technology und NT5CC256M16DN-FLNA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16DP-FLNA | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $20,00 | $6,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS-Latenz | 11, 12, 13 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Schnittstelle | SSTL-15 | 16-bit I/O |
| Gehäuse | BGA-96 (13x9 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | Auto-refresh and self-refresh |
| Eigenschaften | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Betriebstemperaturbereich | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |